随着下一代高带宽内存（HBM）技术持续推进，混合键合商业化进程备受行业关注。

据The Elec援引供应链消息，三星电子计划在平泽园区新建大规模产线，规划部署约50台芯片到晶圆（D2W）混合键合设备，支撑下一代HBM与逻辑芯片制造，设备交付与安装工作预计从2026年底启动。

然而，设备部署与实际量产之间仍存在时间差。尽管产线建设启动，三星内部评估，混合键合大规模量产大致落在2030年前后；《周刊邮报》也提到，三星目标在2029年实现混合键合全面量产。基于混合键合技术打造的新一代HBM，有望配套英伟达下一代AI GPU Feynman落地。行业消息显示，Rubin Ultra GPU预计搭载HBM4E，后续Feynman架构大概率采用HBM5或是定制化HBM方案。

设备采购层面，荷兰后端设备厂商BESI是三星D2W混合键合设备首选合作方，但订单尚未敲定，双方仍围绕三星提出的设备定制修改需求持续谈判。BESI单台混合键合设备价格约60亿韩元（折合430万美元），约为竞品两倍，高昂造价拉长协商周期。BESI同时供货台积电、美光，不愿仅为三星单独更改设备架构，这进一步延缓了采购进程。

在锁定BESI作为优先供应商的同时，三星同步评估本土厂商作为备选方案。旗下半导体设备子公司SEMES已参与竞标，其D2W混合键合设备通过三星资质验证；此外，韩华机械精密（Hanwha Semitech）也进入候选名单。

混合键合将成为三星定制化HBM（cHBM）的核心支撑技术。三星计划用搭载客户计算IP的逻辑芯片替代cHBM底层的基础裸片（Base Die），以兼容外部CPU、GPU并优化数据传输效率，目标实现HBM DRAM层直接堆叠在逻辑芯片之上的3D系统级封装（SiP）架构。

此外，三星晶圆代工上月推出基于混合键合的新一代3D垂直堆叠方案3D Cube-H，面向AI芯片与高性能计算场景，相较现有封装方案能够实现更高带宽、更优能效，目前正向客户推广该项异构集成技术。