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三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品

发布日期: 2026-03-06
阅读量: 11 次阅读
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三星电子计划于今年第三季度量产SiC(碳化硅)功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC   MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。

(文章来源:科创板日报)


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